Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NTE129MCP

TRANS PNP 80V 1A TO39

Paket/Kılıf
TO-205AD
Seri / Aile Numarası
NTE129

NTE129MCP Hakkında

NTE129MCP, NTE Electronics tarafından üretilen PNP tip bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-39 metal kaplı pakette sunulmaktadır. Maximum 80V collector-emitter gerilimi ve 1A collector akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanıma uygundur. 1.25W maksimum güç tüketim kapasitesi ile ses amplifikatörleri, sinyal işleme devrelerinde ve genel amaçlı PNP anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. DC akım taşıyıcı (hFE) minimum 100 değerinde olup, geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-65°C ~ 200°C) sayesinde endüstriyel ve ticari uygulamalarda güvenilir performans sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 1.25 W
Supplier Device Package TO-39
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok