Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NTE128P

TRANS NPN 80V 1A TO237

Paket/Kılıf
TO-237AA
Seri / Aile Numarası
NTE128P

NTE128P Hakkında

NTE128P, NTE Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-237AA paketinde sunulmaktadır. 80V maksimum Vce(bo) değeri ile 1A kolektör akımına kadar çalışabilen bu bileşen, 50MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 850mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, kontrol uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde zorlu ortam koşullarında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 350mA, 2V
Frequency - Transition 50MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-237AA
Part Status Active
Power - Max 850 mW
Supplier Device Package TO-237
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok