Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NTE128
TRANS NPN 80V 1A TO39
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Seri / Aile Numarası
- NTE128
NTE128 Hakkında
NTE128, NTE Electronics tarafından üretilen TO-39 metal kutu paketinde sunulan bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). Bu komponent 80V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 400MHz transition frequency ve 100 minimum DC current gain (hFE) özellikleriyle hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirebilir. 800mW maksimum güç tüketimi, geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 200°C) ve through-hole montaj tipi, bu transistörü genel amaçlı anahtarlama, amplifikasyon ve kontrol devrelerinde uygulamaya uygun hale getirir. Microampere seviyesinde düşük collector cutoff akımı (10nA ICBO) ve 500mV saturation voltajı, verimli çalışma ve net anahtarlama geçişleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Frequency - Transition | 400MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | TO-39 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok