Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NTE123AP-10

TRANS NPN 40V 600MA TO92 10PK

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
NTE123AP

NTE123AP-10 Hakkında

NTE123AP-10, NTE Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 40V collector-emitter gerilimi ve 600mA collector akımı kapasitesine sahiptir. 250MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 625mW maksimum güç dağıtım yeteneği ile tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Ses amplifikasyonu, genel amaçlı anahtarlama devreleri ve sinyal amplifikasyonu gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. Through-hole montaj türü sayesinde konvansiyonel PCB tasarımlarında kolayca entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok