Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
NSVT65011MW6T1G
TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88-6
NSVT65011MW6T1G Hakkında
NSVT65011MW6T1G, onsemi tarafından üretilen dual NPN BJT transistörüdür. 6-TSSOP (SC-88/SOT-363) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, maksimum 100mA kolektör akımı ve 65V kırılma gerilimi ile çalışır. 100MHz transition frequency ve 200 (minimum) DC current gain özellikleriyle, işaret amplifikasyonu ve anahtar uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır ve maksimum 380mW güç tüketimi ile düşük güç tüketimli devreler için tercih edilir. İki bağımsız NPN transistör içeren yapısı sayesinde kompakt PCB tasarımlarında yer kazandırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 380mW |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok