Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSVS50031SB3T1G
BIPOLAR TRANSISTOR, 50 V, 3 A
NSVS50031SB3T1G Hakkında
NSVS50031SB3T1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 1.1W maksimum güç dağıtım kapasitesi, 200 minimum DC current gain (hFE) ve 380MHz transition frequency ile genel sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve lojik uygulamalarında kullanılır. Surface mount SOT-23-3 (TO-236-3) paketinde sunulmuş olup, -55°C ile +175°C arasında çalışır. Düşük Vce saturation voltajı (210mV) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 380MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.1 W |
| Supplier Device Package | 3-CPH |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 210mV @ 100mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok