Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSVMUN5316DW1T1G
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
NSVMUN5316DW1T1G Hakkında
NSVMUN5316DW1T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual transistör dizisidir. Bir NPN ve bir PNP transistörden oluşan bu bileşen, 6-TSSOP (SC-88) yüzey montajı paketinde sunulur. 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Dahili 4.7kΩ baz direnç, harici baz direnci gerekliliğini azaltır ve kompakt devre tasarımına olanak sağlar. DC current gain (hFE) minimum 160 değerine sahiptir. Sinyal işleme, anahtarlama, darbe oluşturma ve diferansiyel uygulamalar gibi birçok analog ve dijital devre uygulamasında tercih edilir. 250mW maksimum güç disipasyonu ile çeşitli endüstriyel ve tüketici elektronik ürünlerinde yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok