Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler

NSVMUN5312DW1T3G

TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
NSVMUN5312

NSVMUN5312DW1T3G Hakkında

NSVMUN5312DW1T3G, onsemi tarafından üretilen dual transistör dizisidir. Bir NPN ve bir PNP transistörden oluşan bu ön beslemeli (pre-biased) yapı, 6-pin SC-88/SOT-363 SMD paketinde sunulmaktadır. Maksimum 50V Vce-Veb gerilimi ve 100mA kolektör akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Her transistör için 22kΩ taban ve emitter-taban dirençleri entegre edilmiştir. Tipik DC akım kazancı (hFE) 60'tır ve maksimum tüketim gücü 250mW'dir. Anahtarlama, ses amplifikasyonu, lojik seviye kaydırma ve genel amaçlı sinyal işleme devrelerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power - Max 250mW
Resistor - Base (R1) 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22kOhms
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok