Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSVMUN5212DW1T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
NSVMUN5212DW1T1G Hakkında
NSVMUN5212DW1T1G, onsemi tarafından üretilen çift NPN ön beslemeli transistör (dual pre-biased) bileşenidir. SOT-363 (6-TSSOP) yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, 100mA maksimum kollektör akımı, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 250mW maksimum güç tüketimiyle düşük sinyalli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Her transistör içinde temel 22kOhms dirençler entegre edilmiş olup, hızlı tasarım ve montaj sağlar. TTL/CMOS logic çıkışlarının sürülmesi, PWM kontrolü, sensör sinyali işleme ve genel amaçlı anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok