Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSVMUN2236T1G
SS SC59 BR XSTR NPN 50V
NSVMUN2236T1G Hakkında
NSVMUN2236T1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir bipolar jonksiyon transistörüdür. 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışabilen bu bileşen, TO-236-3 (SC-59/SOT-23-3) SMD paketinde sunulmaktadır. Entegre 100kΩ base ve 100kΩ emitter-base dirençleri sayesinde basit anahtarlama uygulamaları için hızlı tasarım imkanı sağlar. 250mV doyum gerilimi ve 230mW maksimum güç tüketimi özellikleri ile düşük güçlü sinyal işleme, ses amplifikasyonu, lojik seviye değiştirme ve genel anahtarlama devrelerinde kullanılır. DC akım kazancı (hFE) minimum 80 değerinde belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 230 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-59 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok