Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

NSVMUN2233T1G

TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NSVMUN2233

NSVMUN2233T1G Hakkında

NSVMUN2233T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SC-59 (SOT-23-3) yüzeye monte paketi ile sunulan bu komponent, entegre baz ve emiter dirençlerine (4.7 kΩ ve 47 kΩ) sahiptir. 50V maksimum kolektör-emiter gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışan transistör, 230mW güç dissipasyonuna kapaçtır. DC akım kazancı (hFE) 5mA, 10V koşullarında minimum 80'dir. Düşük kolektör kesim akımı (500nA) ve 250mV satürasyon gerilimi özellikleri ile lojik seviyeleri anahtarlama, analog sinyal işleme ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Ön beslemeli yapısı nedeniyle harici baz polarizasyon direnci gerektirmez.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 230 mW
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package SC-59
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok