Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSVMUN2212T1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
NSVMUN2212T1G Hakkında
NSVMUN2212T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SC-59 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 50V maksimum kolektör-emiter gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. Dahili 22kΩ base ve emitter-base direnç ağları ile entegre olarak tasarlanmıştır. 230mW maksimum güç tüketimi ve 60 minimum DC akım kazancı (hFE) ile devrelerde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. İçerisinde bulunan ön beslemeli dirençler sayesinde harici biyaslandırma dirençlerine gerek olmadan doğrudan sinyal işleme ve lojik seviye geçişi görevlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 230 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-59 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok