Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSVMUN2112T1G
TRANS PREBIAS PNP 50V SC59-3
NSVMUN2112T1G Hakkında
NSVMUN2112T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) PNP transistörüdür. Entegre base ve emitter dirençleri (her biri 22 kΩ) ile donatılmıştır. 50V collector-emitter breakdown voltajı, 100mA maksimum collector akımı ve 230mW güç kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama ve darbe uygulamalarında kullanılır. SC-59 (SOT-23-3) yüzey montaj paketi, küçük form faktörlü tasarımlar için uygundur. Düşük collector cutoff akımı (500nA) ve 250mV saturation voltajı sayesinde enerji tasaruflu devre tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 230 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-59 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok