Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSVMMUN2235LT1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
NSVMMUN2235LT1G Hakkında
NSVMMUN2235LT1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, entegre baz dirençleri (R1: 2.2kΩ, R2: 47kΩ) ile donatılmıştır. 50V collector-emitter gerilimi dağılım seviyesinde ve 100mA maksimum collector akımı kapasitesine sahiptir. 246mW maksimum güç tüketimi ile düşük sinyal uygulamalarında hızlı anahtarlama sağlar. DC akım kazancı (hFE) 80 minimum değerinde (5mA, 10V'da) ve 250mV doyum gerilimi (1mA baz akımı, 10mA collector akımında) karakteristiklerine sahiptir. Cep telefonu, yazıcı ve veri iletişim cihazları gibi taşınabilir elektronik ürünlerde mantık seviye algılama, LED sürücüsü ve sinyal kaplama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 246 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok