Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSVMMUN2233LT3G
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
NSVMMUN2233LT3G Hakkında
NSVMMUN2233LT3G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter dirençleriyle beraber gelmektedir. 100mA maksimum collector akımı, 50V breakdown voltajı ve 246mW güç kapasitesiyle düşük seviyeli anahtarlama ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Dahili 4.7kΩ base direnci ve 47kΩ emitter direnci sayesinde ek biyaslandırma bileşenlerine gerek kalmadan hızlı entegrasyon sağlar. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol devreleri ve dijital lojik arayüz uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 246 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok