Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSVMMUN2232LT3G
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
NSVMMUN2232LT3G Hakkında
NSVMMUN2232LT3G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SOT-23 yüzey montajı paketinde sunulan bu transistör, 246 mW maksimum güç tüketimiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. Entegre baz ve emiter dirençlerine (her biri 4.7 kΩ) sahip olan komponent, hızlı anahtar kontrolü gerektiren devreler, lojik seviyeleri amplifiye etmek için gerekli olan uygulamalarda tercih edilir. 50V maksimum kolektor-emiter gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımıyla, sinyal işleme, anahtarlama ve düşük seviye sinyal kontrol devreleri gibi çeşitli endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarına uygundur. 250mV satürasyon gerilimi, verimli anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 246 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok