Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSVMMUN2232LT1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
NSVMMUN2232LT1G Hakkında
NSVMMUN2232LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, entegre baz dirençleri (4.7kΩ) ile birlikte tasarlanmıştır. 50V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 246mW maksimum güç dağılımı ve düşük cutoff akımı (500nA max), düşük güç tüketimli ve hassas sinyal işleme devrelerinde tercih edilmesini sağlar. Ses sistemleri, sensör arayüzleri, lojik seviyesi dönüştürme ve genel elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 246 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok