Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

NSVMMUN2230LT1G

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NSVMMUN2230

NSVMMUN2230LT1G Hakkında

NSVMMUN2230LT1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar junction transistördür. SOT-23 (TO-236-3) surface mount paketinde sunulan bu komponent, entegre base ve emitter resistörlerine (her biri 1 kΩ) sahiptir. 100 mA maksimum kolektör akımı ve 246 mW maksimum güç dağıtım kapasitesi ile düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50V kolektör-emitter gerilim dayanımı ve 250mV doyum gerilimi özellikleri ile lojik sinyalleri kontrol etmek, röle ve LED sürücüsü uygulamalarında tercih edilir. Küçük boyutu ve entegre resistörleri sayesinde kompakt devre tasarımlarında yer kazandırır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 3 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 246 mW
Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 1 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok