Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSVMMUN2217LT1G
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
NSVMMUN2217LT1G Hakkında
NSVMMUN2217LT1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100 mA kollektör akımı ve 50 V Vce(breakdown) değerleri ile çalışır. Entegre 4.7 kΩ ve 10 kΩ ön beslenme dirençleri sayesinde ek bağlantı elemanları gerektirmeden hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 246 mW maksimum güç derecelendirmesi ve minimum 35 hFE DC akım kazancı ile düşük sinyal amplifikasyonu ve lojik seviye geçişi uygulamalarında tercih edilir. Düşük kolektör kesme akımı (500 nA max) ve 250 mV doyma gerilimi, verimli anahtar ve güvenilir devre tasarımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 246 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok