Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSVMMUN2212LT1G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
NSVMMUN2212LT1G Hakkında
NSVMMUN2212LT1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistörüdür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50V Vce darbelenme gerilimi ve 100mA kollektör akımı kapasitesine sahiptir. İçerisinde 22kΩ'luk iki dirençle entegre olarak gelen bu transistör, sinyalleme devrelerinde, GPIO giriş-çıkışlarının kontrolünde ve açık-kapalı uygulamalarında kullanılır. 246mW maksimum güç tüketimi ile düşük güçlü uygulamalar için uygundur. DC akım kazancı (hFE) 5mA ve 10V koşullarında minimum 60 değerindedir. Doyum durumunda 250mV'lik Vce ile lojik seviye uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 246 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok