Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSVMMUN2133LT1G
TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23
NSVMMUN2133LT1G Hakkında
NSVMMUN2133LT1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajı paketinde sunulan bu komponent, 100 mA maksimum collector akımı ve 246 mW güç dağıtımı kapasitesi ile çalışır. İçerisinde entegre edilen 4.7 kΩ base direnci ve 47 kΩ emitter-base direnci sayesinde harici ön beslemeli direnç ağına ihtiyaç duymaz. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 250mV saturation voltajı ile anahtarlama uygulamalarında, darbe kontrolü devrelerinde ve sinyal seviyesi kaydırma uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 5mA collector akımında 80 değerine ulaşır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 246 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok