Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSVMMUN2132LT1G
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
NSVMMUN2132LT1G Hakkında
NSVMMUN2132LT1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50V kolektor-emiter gerilimi ve 100mA kolektör akımı ile çalışabilir. Entegre 4.7kΩ temel dirençleri sayesinde harici direnç gereksinimi azaltılmıştır. Maksimum 246mW güç tüketimi ile düşük güçlü uygulamalarda tercih edilir. Anahtarlama devrelerinde, küçük sinyal işleme uygulamalarında ve dijital lojik arayüzleme uygulamalarında kullanılır. 250mV saturasyon voltajı ile hızlı anahtar davranışı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 246 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok