Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

NSVMMUN2113LT3G

TRANS PREBIAS PNP SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NSVMMUN2113

NSVMMUN2113LT3G Hakkında

NSVMMUN2113LT3G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) PNP transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100 mA kolektör akımı ve 50 V kolektör-emiter breakdown gerilimi ile çalışır. Entegre 47 kOhm base ve emitter-base dirençleri sayesinde harici ön beslemesi gerektirmez. 246 mW maksimum güç tüketimi ve 80 minimum DC akım kazancı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Özellikle düşük sinyal seviyesindeki işlemlerde, lojik devre arabirimlerinde ve sinyal kontrol uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 246 mW
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok