Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

NSVMMBTH81LT3G

SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NSVMMBTH81LT

NSVMMBTH81LT3G Hakkında

NSVMMBTH81LT3G, onsemi tarafından üretilen Surface Mount PNP bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) kasa tipinde sunulan bu bileşen, RF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 50mA kolektör akımı, 20V kollektör-emitir kırılma gerilimi ve 600MHz geçiş frekansı ile orta güç RF sinyal işleme devrelerinde yer alır. 60 minimum DC akım kazancı (hFE) 5mA/10V koşullarında sağlanır. Maksimum 225mW güç dağılımı kapasitesi ile RF amplifikatörleri, osilatör devreleri ve düşük gürültü ön aşama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition 600MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type PNP
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok