Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NSVMMBTH81LT1G
SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NSVMMBTH81LT
NSVMMBTH81LT1G Hakkında
NSVMMBTH81LT1G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistörüdür. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, RF (radyo frekans) uygulamaları için tasarlanmıştır. 600MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemleri gerçekleştir. Maksimum 50mA kollektör akımı, 20V yıkılma gerilimi ve 225mW güç disipasyonu kapasitesi sayesinde, düşük güçlü RF devreleri, sinyal işleme, ön amplifikatörler ve frekans dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 600MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225mW |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Transistor Type | PNP |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok