Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NSVMMBTH10LT1G
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NSVMMBTH10LT
NSVMMBTH10LT1G Hakkında
NSVMMBTH10LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar RF transistörüdür. 650MHz geçiş frekansı ile VHF ve UHF frekans bölgelerinde çalışan uygulamalarda kullanılır. 25V maksimum collector-emitter diyelectric gerilimi ve 225mW maksimum güç disipasyonu ile düşük gücün gerekli olduğu RF amplifikatör, osilatör ve switch uygulamalarında yer alır. SOT-23 SMD paket tipi ile küçük boyutlu PCB tasarımlarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 60 minimum DC akım kazanç (hFE) değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Frequency - Transition | 650MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok