Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSVMMBTA05LT1G
NSVMMBTA05 - NPN BIPOLAR TRANSIS
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- NSVMMBTA05
NSVMMBTA05LT1G Hakkında
NSVMMBTA05LT1G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) bileşenidir. Maksimum 500mA kolektör akımı, 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 225mW güç dağılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DC akım kazancı 100mA, 1V koşullarında minimum 100'dür. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren uygulamalarda tercih edilir. SOT-23-3 (TO-236) paketindeki bu transistör, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve lojik kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok