Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSVMMBTA05LT1G
TRANS NPN 60V SOT23
NSVMMBTA05LT1G Hakkında
NSVMMBTA05LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (TO-236) yüzeye monte paketinde sunulan bu komponent, 60V maksimum Vce darbelenme voltajı ve 500mA maksimum kollektör akımı ile çalışabilir. 100MHz transition frekansı ve 100 minimum DC current gain (hFE) özellikleriyle, bu transistör anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 225mW maksimum güç dağılımı kapasitesi, düşük kolektör cutoff akımı (100nA) ve -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde; sinyal işleme, motor kontrol, güç yönetimi ve genel amplifikasyon devreleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok