Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSVMMBT6520LT1G
TRANS PNP 350V 500MA SOT23-3
NSVMMBT6520LT1G Hakkında
NSVMMBT6520LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj PNP bipolar junction transistörüdür. 350V breakdown voltajı ve 500mA maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. 225mW güç dağıtabilmesi ve 200MHz geçiş frekansı sayesinde orta hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralıklı endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarına uygundur. Kompakt SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket, küçük alanlı PCB tasarımlarına imkan tanır. Çalışma noktası stabilizasyonu için düşük doyum voltajı (Vce_sat: 1V @ 5mA, 50mA) sunar. Genel amaçlı anahtarlama, sinyal amplifikasyonu ve buzzer sürüşü gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 50mA, 10V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok