Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSVMMBT6517LT1G
TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
NSVMMBT6517LT1G Hakkında
NSVMMBT6517LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 350V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA collector akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 225mW güç dağıtma kapasitesi, 200MHz transition frequency ve 20 minimum DC current gain (hFE) özellikleriyle gürültülü ortamlarda sinyal amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları ve düşük frekanslı RF devrelerde kullanılmaya elverişlidir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Bileşen şu anda üretimi durdurulan (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 50mA, 10V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok