Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSVMMBT5551M3T5G
NSVMMBT5551 - HIGH VOLTAGE NPN B
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- NSVMMBT5551
NSVMMBT5551M3T5G Hakkında
NSVMMBT5551M3T5G, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar junction transistörüdür. SOT-723 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu transistör, 160V collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 60mA collector akımı ve 265mW güç tüketimi kapasitesi ile kontrol ve anahtarlama devreleri, ses amplifikatörleri, RF uygulamaları ve genel amaçlı sinyal işleme devreleri gibi elektronik tasarımlarda yer alır. -55°C ile +150°C geniş çalışma sıcaklığı aralığı sayesinde endüstriyel ve oto uygulamalarında da tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 265 mW |
| Supplier Device Package | SOT-723 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok