Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSVMMBT5550LT1G
SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
NSVMMBT5550LT1G Hakkında
NSVMMBT5550LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltajlı NPN bipolar junction transistördür. SOT-23 (TO-236) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 140V kolektör-emitör kırılma voltajı ve 600mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 225mW güç dağıtım kapasitesi ve 60 minimum DC akım kazancı (10mA, 5V'de) ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, güç kaynakları, motor denetim devreleri, akım anahtarlaması ve sinyal amplifikasyonu gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 140 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok