Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NSVMMBT5087LT3G

TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NSVMMBT5087

NSVMMBT5087LT3G Hakkında

NSVMMBT5087LT3G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajı paketinde sunulan bu transistör, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 50mA collector akımı ile çalışır. DC akım kazancı (hFE) 100µA ve 5V koşullarında minimum 250 değerine sahiptir. 40MHz transition frequency ile orta hızda anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 225mW güç tüketimi ile düşük güç tüketimli devrelerde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Küçük boyutu ve düşük maliyeti nedeniyle sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve lojik devre uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition 40MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok