Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NSVMMBT5087LT1G

TRANS PNP 50V 50MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NSVMMBT5087

NSVMMBT5087LT1G Hakkında

NSVMMBT5087LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek hızlı PNP bipolar junction transistördür. SOT-23-3 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 50V kadar yüksek kolektor-emiter voltajında ve 50mA kadar akımda çalışabilmektedir. 40MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. DC akım kazancı (hFE) 250 ile düşük akımlı uygulamalarda çalışma kapasitesine sahiptir. Maksimum 225mW güç tüketimi ile kompakt devrelerde kullanıma uygundur. -55°C ile +150°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışabilmesi, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve kontrol devrelerinde tercih edilmesini sağlar. Gürültü kaldırma, darbe şekillendirme ve düşük frekanslı amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition 40MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok