Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSVMMBT3906TT1G
NSVMMBT3906 - PNP BIPOLAR TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Seri / Aile Numarası
- NSVMMBT3906
NSVMMBT3906TT1G Hakkında
NSVMMBT3906TT1G, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, maksimum 200mA kolektör akımı ve 250MHz geçiş frekansı ile çalışabilir. 100@10mA minimum DC akım kazancı ve 40V maksimum kolektör-emitter breakdown voltajı ile karakterizedir. Maksimum 200mW güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sağlar. Düşük sinyal amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı BJT uygulamalarında kullanılır. Kompakt yüzey montajlı tasarımı nedeniyle modern elektronik devrelerde ve tüketici elektroniği ürünlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | SC-75, SOT-416 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok