RF Diyotlar

NSVMMBD354LT1G

DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Kategori
RF Diyotlar
Seri / Aile Numarası
NSVMMBD354

NSVMMBD354LT1G Hakkında

NSVMMBD354LT1G, onsemi tarafından üretilen Schottky diyot çiftidir. Maksimum 7V reverse voltaj ve 300mW güç dağılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. SOT-23-3 kompakt paket içerisinde ortak katotlu konfigürasyonda iki diyot barındırır. 1pF kapasitansı (0V, 1MHz) ile RF ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Düşük forward voltaj düşüşü ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde frekans çoğullama, ön uç filtreleme ve sinyal şartlandırma devrelerinde uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 1pF @ 0V, 1MHz
Diode Type Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Peak Reverse (Max) 7V

Kaynaklar

Datasheet

NSVMMBD354LT1G PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok