Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NSVF6001SB6T1G
RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NSVF6001
NSVF6001SB6T1G Hakkında
NSVF6001SB6T1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi RF transistörüdür. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 6.7GHz transition frequency ile yüksek frekanslı uygulamalara uygun tasarlanmıştır. 100mA maksimum kolektör akımı ve 12V kırılma gerilimi ile RF amplifikasyon, dar-bant filtreler ve frekans dönüştürücü devreler gibi uygulamalarda kullanılır. 1.1dB gürültü şekli ve 11dB kazanç özelliği, düşük gürültü hassas RF alıcı sistemlerinde tercih edilmesini sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 800mW maksimum güç kapasitesi ile haberleşme ekipmanları, radar sistemleri ve kablosuz alıcı-verici uygulamalarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 30mA, 5V |
| Frequency - Transition | 6.7GHz |
| Gain | 11dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800mW |
| Supplier Device Package | 6-CPH |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok