Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NSVF4017SG4T1G
RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NSVF4017SG4T1G
NSVF4017SG4T1G Hakkında
NSVF4017SG4T1G, onsemi tarafından üretilen yüksek frekans NPN RF transistörüdür. 10GHz transition frekansı ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12V kollektör-emitter gerilimi, 100mA maksimum kollektör akımı ve 450mW maksimum güç derecelemesi ile düşük sinyal RF amplifikatörleri, ön uç devreleri ve frekans karıştırıcılarında uygulanır. 1.2dB gürültü şekli ve 17dB kazanç özellikleri ile iletişim sistemleri, radar cihazları ve test ekipmanlarında kullanılır. Surface mount SC-82FL/MCPH4 paketinde tedarik edilir ve -55°C ile +150°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 10GHz |
| Gain | 17dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 450mW |
| Supplier Device Package | SC-82FL/MCPH4 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok