Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler

NSVEMT1DXV6T1G

TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
NSVEMT1DXV6T

NSVEMT1DXV6T1G Hakkında

NSVEMT1DXV6T1G, onsemi tarafından üretilen dual PNP transistör dizisidir. SOT-563 yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, 60V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı ile çalışır. 140MHz transition frekansı, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ve 500mW maksimum güç dissipasyonu özellikleri bulunmaktadır. 120 minimum DC current gain (hFE) değeri, 500mV saturation voltajı ile birlikte sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Küçük boyutlu paket sayesinde yoğun devreler, ses frekans amplifikatörleri, pulse şekillendirme ve lojik seviye işletme gibi uygulamalarda kullanıma uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500pA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition 140MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Active
Power - Max 500mW
Supplier Device Package SOT-563
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok