Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSVEMD4DXV6T5G
TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
NSVEMD4DXV6T5G Hakkında
NSVEMD4DXV6T5G, onsemi tarafından üretilen dual NPN/PNP ön beslemeli transistör (pre-biased) dizisidir. SOT-563 (SOT-666) yüzey montajlı pakette sunulur. Bir NPN ve bir PNP transistörü içeren bu bileşen, dahili base ve emitter resistörleri (47kΩ, 10kΩ) ile önceden yapılandırılmıştır. Maksimum collector akımı 100mA, maksimum güç 500mW, VCE(sat) 250mV @ 300µA/10mA olup 50V collector-emitter gerilim dayanımına sahiptir. DC akım kazancı (hFE) minimum 80 @ 5mA/10V koşullarındadır. Aktif parça durumundaki bu transistör, analog switch uygulamaları, sinyal kontrolü, lojik seviyeleri eşleştirme ve düşük güçlü anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Surface mount teknolojisine uygun tasarımı, kompakt PCB'lerin geliştirilmesinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms, 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok