Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSVDTC123JM3T5G
SOT-723 BIAS RESISTOR
NSVDTC123JM3T5G Hakkında
NSVDTC123JM3T5G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür (pre-biased BJT). SOT-723 yüksek entegrasyon yoğunluklu SMD paketinde sunulan bu komponent, entegre bias dirençleriyle (R1: 2.2kΩ, R2: 47kΩ) birlikte gelir. 100mA kolektör akımı kapasitesi ve 50V kolektör-emitter kırılma voltajı ile düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 260mW maksimum güç tüketimi ve 80 minimum DC akım kazancı (hFE) ile lojik devreler, sinyal işleme ve genel amaçlı anahtarlama çevrelerinde tercih edilir. Aktif durumda olan bu bileşen, yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında alan tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 260 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-723 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok