Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSVDTC123JET1G
TRANS NPN 50V 0.1A SC75
NSVDTC123JET1G Hakkında
NSVDTC123JET1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli bipolar transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50V kollektör-emitör gerilimi ve 100mA kollektör akımı ile çalışabilir. İntegre 2.2kΩ taban ve 47kΩ emitör-taban dirençlerine sahip olup, 200mW güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. Düşük güç uygulamalarında, sinyal anahtarlaması ve lojik arayüz devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Saturasyon gerilimi 250mV'da 10mA akımda ölçülmüş olup, hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir. Kompakt boyutu sayesinde yoğun PCB tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-75, SOT-416 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok