Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSVDTA115EET1G
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75-3
NSVDTA115EET1G Hakkında
NSVDTA115EET1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzey montajlı paket içerisinde, entegre baz ve emitter dirençleriyle birlikte sunulur. 100mA maksimum kolektör akımı, 50V VCE(br) değeri ve 200mW güç sınırlamasına sahip bu bileşen, düşük güç uygulamalarında hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 100kΩ baz ve 100kΩ emitter direnç değerleriyle, dış bileşen sayısını azaltarak kompakt devre tasarımlarına olanak tanır. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol devreleri ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-75, SOT-416 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok