Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSVDTA114EET1G
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
NSVDTA114EET1G Hakkında
NSVDTA114EET1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) PNP bipolar transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50V collector-emitter voltajı ve 100mA collector akımı ile çalışabilir. İçerisinde entegre edilen 10kΩ base ve emitter-base dirençleri sayesinde harici bias devreleri gerektirmez, bu da PCB tasarımını basitleştirir ve yer tasarrufu sağlar. 200mW maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle, düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Özellikle sinyal seviyeleme, inverter devreleri, darbe oluşturma ve lojik seviyeleri kontrol eden devreler gibi uygulamalarda tercih edilir. 35'lik minimum DC current gain değeri, düşük akım uygulamaları için uygun karakteristikler sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SC-75, SOT-416 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok