Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSVBSS63LT1G
TRANS PNP 100V 100MA SOT23-3
NSVBSS63LT1G Hakkında
NSVBSS63LT1G, onsemi tarafından üretilen bir PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SO-23-3 yüzey montajlı pakete sahiptir. 100V collector-emitter breakdown voltajı, 100mA maksimum collector akımı ve 225mW maksimum güç dağıtım kapasitesine sahip olan bu transistör, düşük sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve genel amaçlı uygulamalarda kullanılır. 95MHz transition frekansı ile hızlı komutasyon işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen kompakt tasarımı, alanın sınırlı olduğu tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol devreleri ve basit güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 25mA, 1V |
| Frequency - Transition | 95MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 2.5mA, 25mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok