Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSVBSP19AT1G
TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
NSVBSP19AT1G Hakkında
NSVBSP19AT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar junction transistörüdür. 350V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışmaktadır. 800mW güç dağıtım kapasitesine sahip bu transistör, 70MHz transition frequency'sine ulaşır. SOT-223 (TO-261-4) yüzey montajlı paketine sahiptir. 40 minimum DC current gain (hFE) değeri 20mA collector akımında 10V Vce'de ölçülmüştür. -65°C ile +150°C arasında çalışmakta olan bu bileşen, anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve genel amaçlı endüstriyel elektronik tasarımlarında kullanılmaktadır. Düşük collector cutoff akımı (20nA ICBO) ile kapalı durumdaki sızıntı akımı minimumdur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
| Frequency - Transition | 70MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok