Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NSVBCX17LT1G

TRANS PNP 45V 0.5A SOT23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NSVBCX17LT

NSVBCX17LT1G Hakkında

NSVBCX17LT1G, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulmaktadır. Maksimum 45V Vce ve 500mA collector akımı ile çalışabilen bu transistör, 100 @ 100mA, 1V koşullarında minimum 100'lük DC current gain (hFE) değerine sahiptir. 225mW güç yeteneği ve -55°C ile +150°C arasında işletim sıcaklık aralığı ile güvenilir performans sunar. 620mV maksimum saturation voltajı (50mA Ib, 500mA Ic koşulunda) ve 100nA maksimum collector cutoff akımı, düşük sızıntı özelliğini gösterir. Anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve komplement BJT çiftlerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 620mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok