Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NSVBCW32LT1G

TRANS NPN 32V 0.1A SOT23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NSVBCW32LT

NSVBCW32LT1G Hakkında

NSVBCW32LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 32V kolektör-emitter kırılma voltajı ve 100mA maksimum kolektör akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 225mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, 5V koşullarda 200 minimum DC akım kazancı (hFE) sunar. Geniş sıcaklık aralığı nedeniyle endüstriyel ve tüketici uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 32 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok