Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSVBCP68T1G
LOW VOLTAGE-HIGH CURRENT
NSVBCP68T1G Hakkında
NSVBCP68T1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük voltaj ve yüksek akım uygulamalarında kullanılan bir silikon transistörüdür. Maksimum 1A kolektör akımı ve 1.5W güç dağıtım kapasitesi ile düşük voltajlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. 60MHz geçiş frekansı ve 500mV satürasyon voltajı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Surface mount SOT-223 (TO-261) paketinde sunulur. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 150°C) ve 20V collector-emitter kırılma voltajı ile endüstriyel kontrol, motor sürücüsü, güç yönetimi ve sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 85 @ 500mA, 1V |
| Frequency - Transition | 60MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5 W |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok