Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NSVBCP56-10T3G
TRANS NPN 80V 1A SOT-223
NSVBCP56-10T3G Hakkında
NSVBCP56-10T3G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Surface mount SOT-223 paketinde gelen bu transistör, 130MHz transition frequency ile yüksek hızlı devre tasarımlarında yer alabilir. 1.5W maksimum güç dağıtımı, 500mV doyum voltajı ve -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve tüketici ürünlerindeki anahtarlama, sürücü ve sinyal işleme devrelerine uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5 W |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok